FDC636P
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDC636P |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDC636 |
FDC636P Einzelheiten PDF [English] | FDC636P PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
FAIRCHILD SOT23-6
FDC6349 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
FAIRCHILD SOT163
FAIRCHILD SOT23-6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
ON SOT23-6
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDC636Ponsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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